雪崩光电二极管通过施加反向电压产生内部增益，具有比PIN光电二极管更高的信噪比（SNR），更快的时间响应，更高的灵敏度以及更低的暗电流。光谱响应范围通常在200-1150nm之间。我司生产的高增益高速响应的硅雪崩光电二极管，性能优越，广泛应用于微光探测、光学测距等领域。
--- 产品参数 ---
- 放大倍数 M=100
- 击穿电压 120-160V
- 峰值波长1 905nm
- 峰值波长2 800nm
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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激光测距-激光雷达用雪崩二极管APD2022-07-22 16:35
产品型号：全系列 放大倍数：M=100 击穿电压：120-160V 峰值波长1：905nm 峰值波长2：800nm