中科君芯JFG8N30G 30V N沟道增强型功率驱动器是种特定的功率场效应晶体管（MOSFET）主要应用电池管理系统和电源，MOSFET由于其低导通电阻、大电流能力和逻辑电平驱动的特性，特别适用于需要高效、大电流驱动的电路，如汽车电子、工业控制等领域。其关键参数和特性如下：
功能特性：
- • 设备额定电压VDS:=30V,连续工作时漏极电流上限 ID = 8A
- • 导通电阻=15mΩ (typ.) 栅源电压= 10V, 漏极电流 = 8A
- 导通电阻=25mΩ (typ.) 栅源电压= 4.5V, 漏极电流 = 6A
- • 专有高密度沟槽技术
- 符合RoHS和无卤素 （不含卤素或卤素含量极低的材料或产品）
- 封装： SOP-8L
绝对最大额定值 ：
- VDS（Drain-Source Voltage）：30V
- VGS（Gate-Source Voltage）：±20V
- ID（Continuous Drain Current）：Tc=25°对应最大漏极电流上限8.9A,Tc=70°对应漏极电流上限最大值7.1A
- IDM（Pulsed Drain Current）：64A
- PD（Total Power Dissipation）：TC =25℃ 对应2.15W,TA = 70℃对应0.86W
- EAS单脉冲雪崩能量:8mJ
- RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)热阻:58°C\W
- RθJL:结到壳的热阻:20°C\W
- TJ\TSTG:-55 to +150°C
（除非另有说明，TC=25℃）
————其他详细参数请联系深圳市泰凌微电子有限公司团队————————————
