特征
低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）：2.500 V输出时3.5 µV P-P
无需外部电容器
低温系数
一年级：最多10 ppm/°C
B等级：3 ppm/°C
负载调节：15 ppm/ma
线条法规：20 ppm/v
广泛的工作范围
ADR430：4.1 V至18 V
ADR431：4.5 V至18 V
ADR433：5.0 V至18 V
ADR434：6.1 V至18 V
ADR435：7.0 V至18 V
高输出源和水槽电流：30 mA和-20 mA
温度范围：-40°C至 +125°C
申请
精确数据采集系统
高分辨率数据转换器
医疗仪器
工业过程控制系统
光学控制电路
精密仪器
一般描述
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR4351系列是一个 XFET®电压引用的家族具有低噪音，高噪声 准确性和低温漂移性能。使用模拟 设备，Inc。，温度漂移曲率校正和额外 植入交界处FET（XFET）技术，电压变化VS。
ADR430/ADR431/ADR433/的温度非线性ADR434/ADR435最小化。
XFET参考在较低电流（800 µA）和 较低的电源电压净空（2 V）比埋入的齐纳 参考。埋葬的齐纳参考需要超过5 V
手术的净空。 ADR430/ADR431/ADR433/ ADR434/ADR435 XFET参考是低噪声解决方案 5 V系统。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435家庭
最多可采购30 mA输出电流和水槽的能力
最多为-20 mA。它还带有一个修剪端子来调整
输出电压在±0.5％的范围内 表现。
1由美国专利编号5,838,192保护。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是
有8铅MSOP和8带窄的SOIC包装。全部 在扩展的工业温度下指定版本 -40°C至 +125°C的范围。
