总体说明
AGM065N10F 将先进的沟槽式 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，能够实现极低的导通电阻 RDS(ON) 。
该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用场景。
特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低导通电阻 RDS(ON)，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
应用
- 内存 / 显卡核心电压（MB/VGA Vcore）
- 开关电源（SMPS）二次侧同步整流器
- 负载点（POL）应用
- 无刷直流（BLDC）电机驱动器
--- 产品参数 ---
- 类型 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 100A
- 导通电阻(RDS(o 6.2mΩ@10V,15A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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