特点
NSI6601是单通道隔离栅极驱动器
设计用于驱动IGBT、功率MOSFET和SiC
MOSFET在许多应用中。它提供分割输出
分别控制上升和下降时间。它可以
源和汇5A峰值电流。
NSI6601有SOP8或SOW8封装，
可支持3000VRMS或5700VRMS隔离
UL1577.150kV/μs支持系统鲁棒性
最小共模瞬态抗扰度（CMTI）。
驱动器在最大电源电压为
32V，而输入侧接受3.1V至17V的电源
电压。欠压锁定（UVLO）保护
由所有电源电压引脚支持。
具有高驱动电流、出色的鲁棒性、宽
电源电压范围和快速信号传播，
NSI6601适用于高可靠性、功率密度和
高效开关电源系统。
描述
隔离单通道驱动器
输入侧电源电压：3.1V至17V
驱动器侧电源电压：高达32V，9V和13
UVLO选项
5A峰值源极和汇极输出电流
高CMTI：±150kV/μs
78ns典型传播延迟
工作环境温度：-40°C~125°C
AEC-Q100一级选项
符合RoHS和REACH标准：
SOP8
SOW8
