--- 产品参数 ---
- 工作温度 -40℃ ~ 85℃
- 耗散功率 8600 mW
- 频率 0Hz ~ 6GHz
--- 产品详情 ---
HMC637ALP5E 是一款砷化镓 (GaAs) 、单芯片微波集成电路 (MMIC) 、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 分布式功率放大器,工作频率范围为 0.1 GHz 至 6 GHz 。该放大器提供 13 dB 增益、 44 dBm 输出三阶交调截点 (IP3) 和 29 dBm 输出功率( 1 dB 增益压缩),功耗为 400 mA (采用 12 V 电源)。 HMC637ALP5E 在 100 MHz 至 6 GHz 范围内的增益平坦度为 ±0.75 dB ,因而非常适合电子战 (EW) 、电子对抗 (ECM) 、雷达和测试设备应用。 HMC637ALP5E 放大器射频 (RF) I/O 内部匹配至 50 Ω ,且 5 mm × 5 mm 引脚架构芯片级封装 (LFCSP) 与大规模表贴技术 (SMT) 组装设备兼容。
特性
P1dB输出功率:29 dBm
增益:13 dB
输出IP3:44 dBm
50 Ω匹配输入/输出
32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装:25 mm2
扩展工业温度范围:-55℃至+105°C
应用
电信基础设施
微波无线电
甚小孔径终端 (VSAT)
测试仪器仪表
光纤产品
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