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深圳市宏源世纪科技有限公司

主要销售触摸芯片,DC-DC电源,微控制器单片机,存储器,MOS场效应管,LED驱动产品。

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VISHAY/威世 SI7998DP-T1-GE3 PPAKSO-8场效应管

型号: SI7998DP-T1-GE3

--- 产品参数 ---

  • 型号 SI7998DP-T1-GE3
  • 数量 5800
  • 封装 PPAKSO-8
  • 品牌 VISHAY/威世
  • 批次 最新批次

--- 产品详情 ---

特点

PowerPAK单曲使用简单。引脚排列
(漏极、源极、栅极引脚)和引脚尺寸为
与标准SO-8设备相同(见图2)。因此
PowerPAK连接焊盘与
SO-8。唯一的区别是延长了排水连接
区域。立即利用PowerPAK SO-8
单台设备,它们可以安装在现有的SO-8陆地上
模式。
建议充分利用的最小土地格局
PowerPAK热性能的优势,请参阅
应用说明826,推荐的最小衬垫
Vishay Siliconix的带轮廓图访问的图案
MOSFET
点击索引中的PowerPAK SO-8单曲
关于这份文件。
在这个图中,给出了排水用地模式,以充分利用
接触PowerPAK封装上的漏极焊盘。
这种土地模式可以扩展到左侧、右侧和顶部
绘制的图案。这一延期将有助于增加
通过降低热阻来散热
从PowerPAK的底部到PC板
因此与周围环境接触。注意增加排水用地
超过某一点的面积几乎不会减少
在脚到板和脚到环境热阻方面。
在特定的电路板配置条件下,铜
重量和层堆叠,实验发现
超过约0.25平方英寸至0.5平方英寸的额外铜
(除排水用地外)对
热性能。

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