特点
这些双单片硅齐纳二极管设计用于
需要瞬态过电压保护能力的应用。他们
用于电压和ESD敏感设备，如
计算机、打印机、商业机器、通信系统，
医疗设备和其他应用。他们的双结共同点
阳极设计仅使用一个封装保护两条单独的线路。这些
这些设备非常适合电路板空间有限的情况。
特征
•SOT−23封装允许两个单独的单向
配置或单双向配置
•工作峰值反向电压范围-3 V至26 V
•标准齐纳击穿电压范围−5.6 V至47 V
•峰值功率−24或40 W@1.0 ms（单向），
如图6波形
•ESD等级：
根据人体模型，3B级（>16 kV）
−根据机器型号，C类（>400 V）
•IEC61000−4−2 4级ESD额定值，±30 kV接触放电
•峰值脉冲电流下的最大箝位电压
•低泄漏<5.0 A
•易燃性等级UL 94 V−0
•SZ前缀适用于汽车和其他需要唯一标识的应用
现场和控制变更要求；AEC−Q101合格
PPAP能力
•这些设备不含铅，符合RoHS标准
