MOSFET
OptiMOSTM5 功率晶体管,150V
特性
-N 沟道，正常电平
-出色的栅极充电 x RDS（导通）产品（FOM）
-超低导通电阻 RDS(on)
-极低的反向恢复充电（Qrr）
-175°C 工作温度
-无铅镀层；符合 RoHS 标准
-适用于高频开关和同步校正
产品验证
完全符合 JEDEC 工业应用标准
--- 产品参数 ---
- 封装 TDSON-8-EP
- 类型 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss) 150V
- 连续漏极电流(Id) 114A
- 导通电阻(RDS(o 7.4mΩ@10V,50A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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