LY68L6400SLIT 64M 位串行伪 SRAM，带 SPI 和 QPI
特点
50Ω 输出驱动强度 LVCMOS。
线性脉冲串（连续）或 32 字节包裹
线性突发（连续）或 32 字节包裹突发（通过切换命令）。
支持高达 84MHz 的线性突发，只要有 tCEM，就可以跨页边界。
只要满足 tCEM，即可跨页边界。
软件复位。
提供绿色封装
封装：8 引脚 150mil SOP
8 引脚 2mm x 3mm DFN
规格
单电源电压：
VCC=2.7 至 3.6V
接口： 带 SDR 模式的 SPI/QPI
性能： 时钟速率高达
133MHz（非页面边界交叉）
84MHz（页面边界交叉）
组织： 64Mb，8M x 8 位
可寻址位范围： A[22:0]
页面大小：1024 字节
刷新： 自管理
工作温度范围
TC = -40°C 至 +85°C
最大待机电流：
200µA @ 85°C
