--- 产品参数 ---
- 工作温度 -55 ℃~85 ℃
--- 产品详情 ---
HMC1132PM5E 是一款四级、砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)功率放大器。该器件工作频率范围为 27 GHz 至 32 GHz,提供 24 dB 增益和 29.5 dBm 饱和输出功率,并采用 5 V 电源供电。
HMC1132PM5E 提供卓越的线性度和 37 dBm 的高输出三阶交调截点(IP3),并针对高容量、点到点和点到多点无线电系统进行优化。放大器配置和高增益使 HMC1132PM5E 成为天线之前最后一级信号放大的理想选择。
HMC1132PM5E 放大器输入/输出(I/O)内部匹配 50 Ω。该器件采用符合 RoHS 标准的 5 mm × 5 mm LFCSP 预制空腔 LFCSP 封装,与高容量表贴技术(SMT)装配设备兼容。
特性
PSAT:29.5 dBm
高输出 IP3:37 dBm
高增益:29 GHz 到 32 GHz 时为 24 dB(典型值)
直流电源:600 mA 时 5 V
50 Ω 匹配输入/输出
32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装:25 mm2
应用
点对点无线电
点对多点无线电
甚小孔径终端 (VSAT) 和卫星通信 (SATCOM)
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