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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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W351-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: W351-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOP8封装
  • 沟道 N+P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号:W351-VB  
丝印:VBA5638  
品牌:VBsemi  
参数:
- N+P—Channel沟道
- 最大工作电压:±60V
- 最大工作电流:6.5A (正向) / 5A (反向)
- 漏源电阻:RDS(ON)=28mΩ (正向) / 51mΩ (反向) @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=±1.9V
封装:SOP8  

**详细参数说明:**
W351-VB采用N+P—Channel沟道结构,适用于±60V的工作电压,最大工作电流分别为6.5A(正向)和5A(反向)。其漏源电阻在VGS=10V和VGS=20V时分别为28mΩ和51mΩ。阈值电压为±1.9V。封装为SOP8。

**应用简介:**
该器件适用于各种功率控制和开关应用,特别适用于需要高电压和高电流的场合。以下是一些可能的应用领域:
- 电动车电源模块:用于电动车的电池管理系统和电机控制。
- 工业自动化模块:适用于大型机器设备的电源开关和功率调节。
- 高压开关电路:用于控制高压设备和系统中的开关。
- 医疗设备模块:应用于医疗成像设备的电源管理和功率转换。

**示例应用场景:**
- 在电动车电源管理系统中,用于控制电池充放电和电机驱动。
- 在工业自动化中,用于控制大型机器设备的电源开关和功率调节。
- 在医疗成像设备中,用于控制X射线发生器的电源管理和功率转换。

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