--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号:UT3409L-AE3-R-VB
丝印:VB2290
品牌:VBsemi
参数:
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大电压:-20V
- 最大电流:-4A
- 开启电阻:RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V
- 阈值电压:Vth=-0.81V
应用简介:
UT3409L-AE3-R-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道MOSFET,适用于一些要求较低电压和适度电流的应用。其低开启电阻和P—Channel沟道的特性使其在一些小功率电子设备中表现卓越。
示例应用领域:
1. 低功耗电子设备:由于器件具有P—Channel沟道和较低的开启电阻,适合在低功耗设备中使用,如便携式电子产品。
2. 信号开关:可用于一些需要控制信号通断的场合,如信号开关模块。
3. 电源管理:适用于一些需要P—Channel沟道的电源管理模块,提供稳定的电源输出。
请注意,具体的应用要根据实际电路设计需求进行确认。
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