**UT2311G-AE3-R-VB**
- **丝印：** VB2355
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- 封装类型：SOT23
- 沟道类型：P—Channel
- 最大承受电压：-30V
- 最大漏极电流：-5.6A
- 开态电阻（RDS(ON)）：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：-1V
- **应用简介：**
UT2311G-AE3-R-VB 是一款 P—Channel 沟道功率 MOSFET，封装采用 SOT23。其设计特点包括较低的开态电阻和适用于负载开关和功率管理应用。
- **详细参数说明：**
1. **封装类型（Package Type）：** SOT23，这是一种小型表面贴装封装，适合密集的电路板设计。
2. **沟道类型（Channel Type）：** P—Channel，表示这是一款 P 沟道型 MOSFET。
3. **最大承受电压（Maximum Drain-Source Voltage）：** -30V，这是该器件可承受的最大漏极电压。
4. **最大漏极电流（Maximum Drain Current）：** -5.6A，表示最大可通过的漏极电流。
5. **开态电阻（RDS(ON)）：** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，表示在给定的栅源电压下，开态电阻的最大值。
6. **阈值电压（Threshold Voltage）：** -1V，是器件开始导通的栅源电压。
- **应用领域：**
1. **负载开关（Load Switching）：** 适用于负载开关电路，提供可靠的开关控制，例如用于电源管理单元（PMU）的负载开关。
2. **功率管理模块（Power Management Modules）：** 可用于构建功率管理模块，如电源开关和电流控制器。
- **模块应用举例：**
1. **电源开关模块：** UT2311G-AE3-R-VB 可以用于设计电源开关模块，广泛应用于便携设备和电源管理系统。
2. **电源管理单元（PMU）：** 作为 PMU 的一部分，用于控制电源的开关，提供高效的功耗管理。
请注意，以上信息仅为对给定参数的一般解释和应用建议，具体设计时需要考虑电路需求和系统规格。
