特点
对于同步MOSFET Q2，Rds（导通）是一个重要特性；然而，栅极电荷的重要性再次不容忽视，因为它影响三个关键领域。在轻负载下，MOSFET仍然必须由控制IC导通和截止，因此栅极驱动损耗变得更加显著。其次，输出电荷Qoss和反向恢复电荷Qrr都产生了传输到Q1的损耗，并增加了器件中的损耗。第三，栅极电荷将影响MOSFET对Cdv/dt导通的敏感性。Q2的漏极连接到转换器的开关节点，因此可以看到地和Vin之间的转换。当Q1导通和截止时，漏极电压dV/dt有一个变化率，该变化率电容耦合到Q2的栅极，并且可以在栅极上引起足以导通MOSFET的电压尖峰，从而产生击穿电流。必须将Qgd/Qgs1的比率最小化，以降低Cdv/dt导通的电势。
