特点
CMOS=CMOS兼容输入或输出Analog=Analog input P=PowerST=Schmitt Trigger input with CMOS level O=output I=InputPPS=Peripheral Pin Select TTL=TTL input buffer注1：此引脚仅在dsPIC33EPXXXMC20X/50X和PIC24EPXXXMC20 X设备上可用。2：此引脚只在dsPIC33 EPXXXGP/MC 50X设备上使用。3：这是dsPIC33EP XXXMC20 X/50X与PIC24EPXXXXMC20 X设备重置时的默认故障。有关更多信息，请参阅第16.0节“高速PWM模块（仅限dsPIC33EPXXXMC20X/50X和PIC24EPXXXXMC20X设备）”。4：并非所有引脚都适用于所有封装变体。引脚可用性请参见“引脚图”部分。5:当JTAG接口处于活动状态时，TMS引脚上连接有一个内部上拉电阻器。参见表27-2中的JTAGEN位字段。
描述
电容器的值和类型：建议0.1µF（100 nF），10-20V。该电容器应当是低ESR并且具有在20MHz及更高范围内的谐振频率。建议使用陶瓷电容器。•在印刷电路板上的放置：去耦电容器应尽可能靠近引脚。建议将电容器放置在与设备同一侧的板上。如果空间有限，可以使用过孔将电容器放置在PCB的另一层上；但是，确保引脚到电容器的迹线长度在四分之一英寸（6毫米）以内。•处理高频噪声：如果电路板遇到高于10 MHz的高频噪声，则在上述去耦电容器中添加第二个并联的陶瓷型电容器。第二个电容器的值可以在0.01µF到0.001µF的范围内。将第二个电容器放在主去耦电容器旁边。在高速电路设计中，考虑尽可能增加电源和接地引脚的十年电容对。例如，0.1µF与0.001µF并联。•最大限度地提高性能：在电源电路的板布局上，先将电源和回流迹线连接到去耦电容器，然后连接到设备引脚。这确保了去耦合电容器在功率链中处于第一位。同样重要的是将电容器和电源引脚之间的迹线长度保持在最小值，从而降低PCB迹线电感。
