特点
AON6236采用沟槽MOSFET技术，该技术经过专门优化，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS（ON）和Crss的组合极低，功率损耗降至最低。此外，切换行为得到了很好的控制
描述
A.RθJA的值是用安装在1in2 FR-4板上的装置测量的，带有2oz。铜，在TA=25°C的静止空气环境中。功率耗散PDSM基于RθJA和150°C的最大允许结温。任何给定应用程序中的值取决于用户的特定板设计。B.功率耗散PD基于TJ（MAX）=150°C，使用结-壳热阻，在使用额外散热的情况下设置耗散上限更有用。C.重复额定值，脉冲宽度受结温TJ（MAX）=150°C的限制。额定值基于低频率和工作循环，以保持初始TJ=25°C。D.RθJA是从结到情况RθJC和情况到环境的热阻之和。E.图1至图6中的静态特性是使用<300µs脉冲获得的，占空比最大为0.5%。这些曲线基于结-壳热阻抗，假设最大结温度为TJ（max）=150°C，用安装在大型散热器上的设备测量该热阻抗。SOA曲线提供单个脉冲额定值。G.最大额定电流受封装限制。H.这些测试是在设备安装在1 in2 FR-4板上的情况下进行的，板上有2 oz。铜，在TA=25°C的静止空气环境中。
