产品
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CGH55030F1 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-14 11:30
产品型号：CGH55030F1 瞬时带宽：300 MHz 瞬时带宽 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 增益：10 dB 小信号增益 4 W PAVE：4 W PAVE < 2.0% EVM 平均功率：平均功率为 4 W 时效率为 25% -
CGH40180PP-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-14 11:02
产品型号：CGH40180PP-AMP 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 PSAT功率：220 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70 % 的效率 -
CGH40180PP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-14 10:58
产品型号：CGH40180PP 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 PSAT功率：220 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70 % 的效率 -
CGH40120F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-14 10:21
产品型号：CGH40120F-AMP 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 PSAT功率：120 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CGH40120F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-13 10:22
产品型号：CGH40120F 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 PSAT功率：120 W 典型 PSAT 效率：PSAT 70% 的效率 -
CGH40120P高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-13 10:19
产品型号：CGH40120P 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 PSAT功率：120 W 典型 PSAT 效率：PSAT 70% 的效率 -
FRDMGD3160XM3EVM栅极驱动板2022-06-11 21:13
产品型号：FRDMGD3160XM3EVM 漏源电压：1700 V 电源电压：16 V 输入信号电压高：5 V 输入信号电压低：0V 输出峰值电流：9 (±2) A -
CGD12HBXMP栅极驱动板2022-06-11 21:10
产品型号：CGD12HBXMP 漏源电压：1700 V 电源电压：16 V 输入信号电压高：5 V 输入信号电压低：0V 输出峰值电流：9 (±2) A -
CGD15SG00D2栅极驱动板2022-06-11 21:02
产品型号：CGD15SG00D2 漏源电压：1700 V 电源电压：16 V 输入信号电压高：5 V 输入信号电压低：0V 输出峰值电流：9 (±2) A -
CGD1700HB3P-HM3栅极驱动板2022-06-11 20:54
产品型号：CGD1700HB3P-HM3 漏源电压 ：1700 V 电源电压：16 V 输入信号电压高：5 V 输入信号电压低：0V 输出峰值电流：9 (±2) A