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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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立年电子科技产品

  • CGHV14500F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-15 11:15

    产品型号:CGHV14500F-AMP FET 调谐范围:UHF 至 1800 MHz 典型输出功率:500 W 功率增益:16分贝 典型排水效率:68% 脉冲幅度下降:<0.3 dB
  • CGHV14500F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-15 11:13

    产品型号:CGHV14500F FET 调谐范围 :FET 调谐范围 UHF 至 1800 MHz 输出功率:500 W 典型输出功率 功率增益:16分贝功率增益 排水效率:68% 典型排水效率 脉冲幅度下降:<0.3 dB 脉冲幅度下降
  • CGHV14500P 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-15 11:12

    产品型号:CGHV14500P FET 调谐范围 :FET 调谐范围 UHF 至 1800 MHz 典型输出功率:500 W 典型输出功率 功率增益:16分贝功率增益 排水效率:68% 典型排水效率 脉冲幅度下降:<0.3 dB 脉冲幅度下降
  • CGHV14250F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-15 11:04

    产品型号:CGHV14250F-AMP FET 调谐范围:FET 调谐范围 UHF 至 1800 MHz 典型输出功率:330 W 典型输出功率 功率增益:18分贝功率增益 排水效率:77 % 典型排水效率 脉冲幅度下降:< 0.3 dB 脉冲幅度下降
  • CGHV14250F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-15 11:02

    产品型号:CGHV14250F FET 调谐范围 :FET 调谐范围 UHF 至 1800 MHz 典型输出功率:330 W 典型输出功率 功率增益:18分贝功率增益 排水效率:77 % 典型排水效率 脉冲幅度下降:< 0.3 dB 脉冲幅度下降
  • CGHV14250P高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-15 11:00

    产品型号:CGHV14250P FET 调谐范围 :FET 调谐范围 UHF 至 1800 MHz 典型输出功率:330 W 典型输出功率 功率增益:18分贝功率增益 典型排水效率:77 % 典型排水效率 脉冲幅度下降:< 0.3 dB 脉冲幅度下降
  • CGH55030F2 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-15 10:43

    产品型号:CGH55030F2 频率:4.5 至 6.0 GHz 操作 增益:5.65 GHz 时 12 dB 小信号增益 PSAT功率:30 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 60% 的效率 电压:28 伏操作
  • CGH55030P1 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-14 11:32

    产品型号:CGH55030P1 瞬时带宽:300 MHz 瞬时带宽 峰值功率能力:30 W 峰值功率能力 增益:10 dB 小信号增益 4 W PAVE:4 W PAVE < 2.0% EVM 平均功率:平均功率为 4 W 时效率为 25%
  • CGH55030F1 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-14 11:30

    产品型号:CGH55030F1 瞬时带宽:300 MHz 瞬时带宽 峰值功率能力:30 W 峰值功率能力 增益:10 dB 小信号增益 4 W PAVE:4 W PAVE < 2.0% EVM 平均功率:平均功率为 4 W 时效率为 25%
  • CGH40180PP-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-14 11:02

    产品型号:CGH40180PP-AMP 频率:高达 2.5 GHz 的操作 增益:1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益:2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 PSAT功率:220 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 70 % 的效率