产品
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CGHV96050F2 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-27 16:09
产品型号：CGHV96050F2 操作频率：8.4 – 9.6 GHz POUT 典型值：80 W 功率增益：10分贝 典型 PAE：55 % 内部匹配：50 欧姆 -
CGHV96050F1-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-27 15:58
产品型号：CGHV96050F1-AMP 操作频率：7.9 – 8.4 GHz POUT 典型值：80 W 功率增益：>13 dB 典型线性 PAE：33 % 内部匹配：50 欧姆 -
CGHV96050F1 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-27 15:56
产品型号：CGHV96050F1 操作频率：7.9 – 8.4 GHz POUT 典型值：80 W 功率增益：>13 dB 典型线性 PAE：33 % 内部匹配：50 欧姆 -
CGHV60170D-GP4 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-27 14:54
产品型号：CGHV60170D-GP4 典型功率附加效率：65% 典型 PSAT：170 W 操作电压：50 伏 耐压性：高击穿电压 操作频率：高达 6 GHz 的 -
CGHV60075D5-GP4 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-27 14:47
产品型号：CGHV60075D5-GP4 4 GHz 时的典型：附加效率为 65% 6 GHz 时的典型：功率附加效率为 60% 典型 PSAT：75 W 操作电压：50 伏 耐压性：高击穿电压 -
CGHV60040D-GP4 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-27 14:39
产品型号：CGHV60040D-GP4 典型功率附加效率：65% 典型 PSAT：40 W 操作电压：50 伏 耐压性：高击穿电压 操作频率：高达 6 GHz -
CGHV59350F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-27 14:29
产品型号：CGHV59350F-AMP 操作频率：5.2 – 5.9 GHz 典型输出功率：470 W 功率增益：10.7分贝 典型排水效率：60% 内部匹配：50 欧姆 -
CGHV59350P 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-27 14:27
产品型号：CGHV59350P 操作频率：5.2 – 5.9 GHz 典型输出功率：470 W 功率增益：10.7分贝 典型排水效率：60% 内部匹配：50 欧姆 -
CGHV59350F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-27 14:24
产品型号：CGHV59350F 操作频率：5.2 – 5.9 GHz 典型输出功率：470 W 功率增益：10.7分贝 典型排水效率：60% 欧姆内部匹配：50 -
CGHV59070F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-27 14:13
产品型号：CGHV59070F-AMP 操作频率：4.4 – 5.9 GHz 操作 典型值为：50 V 时 POUT 功率增益：14分贝 排水效率：55 %