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D1211UK功率晶体管TT Electronics2022-06-29 19:05
产品型号：D1211UK 工作电压：20V 功率输出：5W 测试频率：1GHz 应用范围：1-1000MHz 有源FET配置：3 -
D1210UK功率晶体管TT Electronics2022-06-29 19:03
产品型号：D1210UK 工作电压：20V 功率输出：5W 测试频率：1GHz 应用范围：1-1000MHz 有源FET配置：3 -
XC6SLX9-2TQG144I FPGA - 现场可编程门阵列 Xilinx品牌2022-06-29 11:03
产品型号：XC6SLX9-2TQG144I 输入/输出端数量：102 I/O 工作电源电压：1.2 V 最小工作温度：- 40 C 最大工作温度：+ 100 C 安装风格：SMD/SMT -
CMPA5259025F-AMP HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)评估板2022-06-29 10:01
产品型号：CMPA5259025F-AMP 小信号增益：30 dB PSAT 的效率：50% 工作电压：高达 28 V 击穿电压：高击穿电压 -
CMPA5259025S HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)2022-06-29 09:59
产品型号：CMPA5259025S 小信号增益：30 dB PSAT 的效率：50% 工作电压：高达 28 V 击穿电压：高击穿电压 -
CMPA5259025F HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)2022-06-29 09:57
产品型号：CMPA5259025F 小信号增益：30 dB PSAT 的效率：50% 工作电压：高达 28 V 高击穿：高击穿电压 -
CMPA3135060S氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)2022-06-29 09:43
产品型号：CMPA3135060S 操作频率：3.1 - 3.5 GHz 典型输出功率：75 W 功率增益：29 分贝 欧姆匹配：50 塑料表面贴装封装：7x7 mm QFN -
CMPA2935150S氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)2022-06-29 09:32
产品型号：CMPA2935150S 效率：高功率附加效率 典型 PSAT：190 W 击穿电压：高击穿电压 耐高温：高温操作 -
CMPA801B030F-AMP HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)评估板2022-06-28 16:53
产品型号：CMPA801B030F-AMP 典型 PSAT：40 W 工作电压：高达 28 V 击穿电压：高击穿电压 操作温度：高温操作 -
CMPA801B030D1 HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)2022-06-28 16:51
产品型号：CMPA801B030D1 典型 PSAT：40 W 工作电压：高达 28 V 击穿电压：高击穿电压 操作温度：高温操作