产品
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MRF137 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管放大器 MACOM品牌2022-07-08 18:54
产品型号：MRF137 输出功率：30 W 最小增益：13 dB 效率：60% 典型性能：7.7 dB 增益 -
MRF136 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MACOM品牌2022-07-08 18:17
产品型号：MRF136 晶体管极性:：N-Channel 工作频率:：400 MHz 增益:：16 dB 输出功率:：15 W 最小工作温度:：- 65 C -
GTRA360502M-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-07-08 10:50
产品型号：GTRA360502M-V1 峰值:P3dB：36w 典型脉冲：连续波性能 占空比：10% 输出功率为P3dB：50w 排水效率：62% -
GTRA263902FC-V2氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-07-08 10:36
产品型号：GTRA263902FC-V2 输出功率为：P3dB = 370 W 典型脉冲：连续波性能 效率：70% 增益：15 dB -
GTRA262802FC-V2氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-07-08 10:25
产品型号：GTRA262802FC-V2 连续波性能：典型的脉冲 脉冲宽度：16 μs 占空比：10% 输出功率为：P3dB = 250 W 增益：14.4 dB -
GTRA260502M-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-07-08 10:12
产品型号：GTRA260502M-V1 连续波性能：典型脉冲 占空比：10% 效率：64% 输出功率：P3dB = 50 W -
GTRA214602FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-07-08 09:13
产品型号：GTRA214602FC-V1 P3dB ：170 W 典型值 峰值：350 W 典型值 增益：15 dB 效率：60% -
GTRA184602FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-07-04 11:44
产品型号：GTRA184602FC-V1 技术：GaN on SiC HEMT 输出功率：：460 W @ P3dB 效率：：62% @ POUT = 49 dBm 增益：：16 dB @ POUT = 49 dBm -
CMPA901A035F-AMP氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)评估板2022-07-04 10:07
产品型号：CMPA901A035F-AMP 典型输出功率： 40 W 典型功率增益： 23 dB 典型 PAE： 35% 工作电压：高达 28 V -
CMPA901A035F1氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)2022-07-04 10:06
产品型号：CMPA901A035F1 典型输出功率：40 W 典型功率增益： 23 dB 典型 PAE ：35% 工作电压：高达 28 V