产品
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PXAC210552FC-V1 高功率射频 LDMOS FET CREE2022-07-14 17:50
产品型号：PXAC210552FC-V1 P1dB：35 W 典型值 P1dB 时的输出功：27 W 增益 ：17 分贝 效率：59% 输出功率：55 W (CW) -
PXAD184218FV-V1 大功率射频 LDMOS FET 420 W CREE2022-07-14 17:27
产品型号：PXAD184218FV-V1 峰值 P1dB：290 W 典型值 P3dB 时的输出功：420 W 效率： 62% 增益：14 分贝 输出功率：110 W (WCDMA) -
PXAE213708NB-V1 LDMOS Doherty 晶体管 CREE2022-07-14 17:16
产品型号：PXAE213708NB-V1 主 P3dB ：160 W Typ 峰值 P3dB典型值：290 W 典型的脉冲连续波性能：2180兆赫 P3dB输出功率：400 W P3dB功率附加效率： 60.3% -
PXAE183708NB-V1 大功率射频 LDMOS FET 320 W CREE2022-07-14 17:06
产品型号：PXAE183708NB-V1 峰值 P3dB：315 W 典型值 P1dB 时的输出功：320 W P3dB 时的输出功：430 W 排水效率：60% 增益：13.5 分贝 -
PXFC191507FC-V1 大功率射频 LDMOS FET 150 W2022-07-14 16:57
产品型号：PXFC191507FC-V1 典型的脉冲连续波性能：1990 兆赫 输出功率：P1dB = 140 W 效率：54% 增益 ：19.5 分贝 输出功率：150 W (CW) -
PXFE211507FC-V1 大功率射频 LDMOS FET2022-07-14 16:49
产品型号：PXFE211507FC-V1 典型的脉冲连续波性能：2140兆赫 P1dB时的输出功率：172W P3dB输出功率：208 W P3dB 时的效率：64.4% 增益：20.3 分贝 -
WSGPA01-V1 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA)2022-07-14 16:37
产品型号：WSGPA01-V1 工作频率：：高达 5 GHz P3dB：：高达 10 W 电源电压：：高达 50 V 技术：GaN on SiC HEMT -
PTFC210202FC-V1 大功率射频 LDMOS FET2022-07-14 16:03
产品型号：PTFC210202FC-V1 典型的连续波性能：2170兆赫 组合输出：：P1dB = 28 W 时的输出功率 增益：20.9 分贝 效率：62% 输出功率：28 W (CW) -
PTAC210802FC-V1高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-07-14 15:42
产品型号：PTAC210802FC-V1 典型的脉冲连续波性能：2170兆赫 输出功率： P3dB 75 W 效率 ：48 % 增益 ：14 分贝 输出功率：80 W (CW) -
GTVA355001EC氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-07-14 15:28
产品型号：GTVA355001EC 脉冲宽度：300 μs 占空比：10% 输出功率：P3dB = 500 W 排水效率：65% 增益：13 分贝