萨瑞微电子文章

• 芯辰大海，破浪领航｜江西萨瑞微电子年会盛典圆满落幕，共启半导体新征程！2026-02-12 16:42

  

  年会前言/INTRODUCTION时序更替，华章日新；芯火相传，逐浪前行。当新春的序章悄然拉开，当奋斗的荣光熠熠生辉，江西萨瑞微电子以“芯辰大海，破浪领航”为主题，举办年度盛典，全体萨瑞人欢聚一堂，回望并肩耕耘的峥嵘岁月，细数凝心聚力的丰硕成果，共绘半导体产业高质量发展的崭新蓝图！PART.01回望荣光，致敬并肩奋斗年会现场，灯光璀璨，暖意融融。伴随着激昂的

  MOSFET 半导体 3428浏览量

• 政企同心筑新篇！萨瑞微锚定第三代半导体，剑指江西车规级检测新标杆2026-01-23 13:57

  

  赣江新区与江西萨瑞微电子政企务虚会顺利召开春潮涌动启新程，政企协同谱华章。1月22日，赣江新区管委会与江西萨瑞微电子技术有限公司政企务虚会顺利召开，赣江新区党工委副书记、管委会主任王万征主持会议并讲话，萨瑞微董事长李运鹏率核心管理团队出席，双方就产业布局、技术创新、政策赋能等议题深入探讨，为企业高质量发展凝聚共识、汇聚合力。作为扎根赣江新区的国家级高新技术企

  半导体 检测 747浏览量

• 为智能健身注入高效动能｜萨瑞微电子SR45C03PS MOSFET 助力电机驱动与电源管理2026-01-19 17:20

  

  在现代智能健身器材中，高效、静音、可靠的电机驱动与电源管理是关键体验所在。江西萨瑞微电子推出的SR45C03PSN&P沟道增强型MOSFET，凭借其低内阻、高散热、快速响应等特性，成为跑步机、动感单车、划船机、力量器械等设备中电机控制与电源系统的理想半导体解决方案。01产品核心特点Productcorefeatures1先进沟槽单元设计/Advancedtr

  MOSFET 电机驱动 电源管理 1405浏览量

• 解决效率 电压尖峰问题！萨瑞微推出“低内阻+低Crss；Coss”同步优化方案2026-01-14 15:06

  

  MOS管DS尖峰的产生是多重因素共同作用的结果，涉及电路寄生参数、开关速度、负载特性及驱动电路设计等关键环节。针对这一行业痛点，萨瑞微创新性推出“低导通内阻（Rds(on)）+低反向传输电容（Crss）+低输出电容（Coss）”同步优化方案，实现效率提升与尖峰抑制的双重突破。01核心参数优势Coreparameteradvantages器件本身及MOS管周边

  内阻 电压 电容 767浏览量

• 专为安防网通设计：萨瑞微电子P0080TB-MC TSS保护器件，大通流低残压，为设备安全保驾护航2025-12-12 13:51

  

  在安防监控、网络通信等设备中，各类接口（如RJ45网口、BNC视频端口等）常因静电放电（ESD）、雷击浪涌等瞬态过电压而损坏，严重影响系统稳定性和使用寿命。针对这一痛点，江西萨瑞微电子推出了一款性能优异的TSS系列浪涌保护器件——P0080TB-MC，以其大通流、低残压的卓越特性，成为安防、网通设备端口防护的可靠选择。›01产品核心优势：大通流、低残压大通流

  TSS 保护器件 793浏览量

• 萨瑞微STB58VCB651-T：专为POE端口防护而生的精密TVS2025-12-05 14:10

  

  在网络设备迈向全智能化与高密度部署的今天，以太网供电（POE）技术已成为基石。其核心的48V电源端口，如同设备的“心血管”，至关重要却也异常脆弱。江西萨瑞微电子推出的STB58VCB651-T瞬态电压抑制二极管，并非泛泛而谈的通用保护器件，而是一款为48VPOE及DC电源端口静电浪涌防护精准定义的专业解决方案。›01精准定位：为何是58V？一切卓越防护始于精

  PoE TVS 端口 719浏览量

• 萨瑞微电子推出M4SMFxxA-LC系列TVS：低负压钳位技术引领电路保护新方向2025-11-27 10:46

  

  在日益精密的电子设备中，瞬态电压抑制二极管（TVS）作为电路保护的"安全卫士"，其性能直接关系到整个系统的可靠性。江西萨瑞微电子最新推出的M4SMF24A-LC和M4SMF28A-LC系列TVS二极管，以其创新的低负压钳位技术，为电路保护领域带来了突破性解决方案。›01系列产品概览：双型号覆盖主流应用萨瑞微电子此次推出的两个型号分别针对不同的工作电压需求：M

  TVS 二极管 电路保护 907浏览量

• 国产替代优选！江西萨瑞微SRIC2231/3331P4：精准钳位无尖峰，IC保护更可靠2025-11-19 17:32

  

  在工业控制、消费电子、车载设备等场景中，瞬态电压抑制器（TVS）的核心使命是保护后端精密IC免受浪涌、静电冲击。德州仪器（TI）TVS2200、TVS3300虽应用广泛，但江西萨瑞微SRIC2231P4凭借“VR与VC高度匹配、无峰值脉冲尖峰”的核心优势，成为IC保护场景的国产替代新标杆。以下通过核心参数对标，拆解其如何为IC筑牢安全屏障！›01关键参数对比

  IC TVS 抑制器 1988浏览量

• 喜讯！江西萨瑞微电子荣获2025年“江西名牌产品”称号2025-11-13 11:51

  

  近日，江西省品牌建设促进会正式发布《关于认定2025年江西名牌产品的公告》，江西萨瑞微电子技术有限公司凭借卓越的产品质量、领先的技术实力和良好的市场口碑，成功荣获2025年“江西名牌产品”称号，这一荣誉是对萨瑞微电子综合实力的高度认可。权威认证，实至名归“江西名牌产品”认定是江西省为深入实施质量强省战略而开展的重要工作，其认定标准严苛、程序规范。根据《江西名

  分立器件 半导体 1020浏览量

• 江西萨瑞微电子P6SMFTHE系列产品深度解析：小封装承载大能量的功率器件2025-11-11 10:00

  

  在电子设备小型化与高功率密度需求日益凸显的今天，功率器件的封装与性能平衡成为行业技术突破的核心痛点。江西萨瑞微电子作为国内领先的功率半导体IDM企业，推出的P6SMFTHE系列产品，以"小封装承载大功率"的核心优势，打破了传统功率器件的封装性能桎梏，为多领域电子设备设计提供了革命性解决方案。本文将从产品核心参数、封装技术突破、关键性能优势及全场景应用等维度，

  IDM 功率半导体 功率器件 760浏览量