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发布了产品 2025-10-16 15:19
国硅集成250V 1.2A 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片-G2021
产品型号:G2021 最高工作电压为:+250V dVS/dt耐受能力:±50 V/ns 负偏压能力达:-9V78浏览量 -
发布了产品 2025-09-28 15:31
芯朋微65W氮化镓充电器快充开关电源管理芯片方案
产品型号: PN8213 模式:PWM Controller 待机功耗:<50mW VDD工作电压 :9V-56V83浏览量 -
发布了产品 2025-09-26 11:36
芯朋微PN8215主控芯片140W氮化镓充电器芯片
产品型号:PN8215119浏览量 -
发布了产品 2025-09-16 13:47
芯朋微代理商acdc非隔离电源芯片PN8052H
产品型号:PN8052H MOIS管耐压:700V 输出电压:15V 半封闭式稳态输出功率:3.0W@230VAC160浏览量 -
发布了产品 2025-09-05 16:39
国硅集成 NSG27710单相高低侧功率栅极驱动芯片
产品型号:NSG27710 芯片耐压:650V 输入逻辑:兼容3.3V, 5V和15V 延迟匹配时间小于:50ns75浏览量 -
发布了产品 2025-09-04 15:20
NSG21867 国硅集成700V 大电流高、低侧 MOSFET/IGBT驱动芯片
产品型号:NSG21867 最高工作电压为:700V Vs负压耐受能力:-9V 栅极驱动电压:10V到20V118浏览量 -
发布了产品 2025-09-04 10:10
国硅集成NSG2153D 600V自振荡半桥MOSFET/IGBT电机驱动芯片
产品型号:NSG2153D 最高工作电压为:+600V VCC钳位电压:15.6V 正/负欠压阈值:11V/9V113浏览量 -
发布了产品 2025-09-02 10:48
国硅集成NSG2065Q 250V 集成自举的三相栅极驱动芯片应用于电机驱动
产品型号:NSG2065Q 型号 :NSG2065 封装/规格 :QFN24 包装 :托盘101浏览量 -
发布了产品 2025-09-02 10:40
国硅集成G2063Q 250V 1.5A 三相高低侧功率栅极驱动芯片应用电机驱动
产品型号:G2063Q 品牌 :国硅集成 型号 :G2063Q 封装/规格: 贴片93浏览量 -
发布了产品 2025-09-02 10:29
国硅集成G2061Q 250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片应用空调洗衣机板
产品型号:G2061Q 型号 :G2061Q 封装/规格 :贴片 包装 :托盘64浏览量