东莞市中铭电子

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• 发布了产品 2026-05-09 11:21

  芯控源40A 60V的N沟道功率MOSFET场效应管-AGM609AP

  

  产品型号：AGM609AP 沟道类型：N 沟道 漏源电压：60V 栅源电压：±20V

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• 发布了产品 2026-05-09 10:09

  芯控源代理商授权供应高性能N沟道功率场效应管MOS管-AGM4025Q

  

  产品型号：AGM4025Q 沟道类型：N 沟道 漏源电压 ：40V 栅源电压 ：±20V

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• 发布了产品 2026-05-07 14:44

  AGM-芯控源N沟道功率场效应管MOSFET-AGM1010A2

  

  产品型号：AGM1010A2

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• 发布了产品 2026-05-07 11:50

  芯控源高性能、低内阻N沟道功率场效应管-AGM405Q

  

  产品型号：AGM405Q 漏源电压 VDSS：40V 栅源电压 VGSS：±20V 连续漏极电流 ID：55A (Tc=25℃)；33A (Tc

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• 发布了产品 2026-05-07 10:57

  AGM芯控源P沟道功率MOSFET场效应管-AGM30P10A

  

  产品型号：AGM30P10A 漏源电压 VDSS：-30V 栅源电压 VGSS：±20V 续漏极电流 ：-23A

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• 发布了产品 2026-05-06 15:41

  AGMSEMI芯控源58A60V N沟道功率MOSFET场效应管-AGM605Q

  

  产品型号：AGM605Q 型号： AGM605Q 类型 ：N沟道 漏源电压(Vdss)： 60V

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• 发布了产品 2026-04-30 15:57

  芯控源P沟道功率场效应管-AGM40P30A

  

  产品型号：AGM40P30A 类型：P沟道增强型MOSFET 漏源击穿电压：-40V

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• 发布了产品 2026-04-28 11:01

  8位通用MCU单片机TX8C1261可替代CMS8S3680/CMS8S6990

  

  产品型号：TX8C1261 内核MCU：低功耗的8051内核MCU 工作主频最高：48MHz 定时器：6个16位高级定时器

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• 发布了产品 2026-04-18 10:44

  复旦微32位超低功耗 ARM Cortex M0 MCU单片机FM33FR0510替代R5F100P系统

  

  产品型号：FM33FR0510 宽电压范围：：1.65~5.5V 工作温度范围（TA）：-40℃~+105℃ 内核 ：ARM Cortex-M0+

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• 发布了产品 2026-04-17 15:30

  复旦微国产32位单片机FM33LR025替代R5F100G系列

  

  产品型号：FM33LR025 内核 ：ARM Cortex‑M0 主频 ：最高 48 MHz 工作电压 ：1.8 V ~ 5.5 V

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