--- 产品参数 ---
- 频率 5兆赫至2.8兆赫
- 阻速比 1:1.33
- 阻碍 75欧姆
--- 产品详情 ---

微型电路的TC1.33-282X+是频率为5兆赫至2.8千兆赫的巴伦,幅值平衡度为0.07~2.31兆赫,相位平衡度为0.06~10.70度,插入损耗为0.97~2.76兆瓦,电流为30毫安。
产品细节
部分编号
TC1.33-282X+
制造商
微型电路
描述
射频变压器,表面安装,配置。K,平衡输电线路,5-8000兆赫
一般参数
配置
巴伦,变压器
类型
不平衡到平衡
频率
5兆赫至2.8兆赫
阻速比
1:1.33
阻碍
75欧姆
幅度平衡
+0.07至2.31分贝
相位平衡
0.06至10.70度
插入损失
0.97至2.76分贝
流的
30马
权力
0.25 W
返回损失
13.83至28.09分贝
包装类型
表面贴装
包裹
AT1521
工作温度
-40至85度C
储存温度
-55至100度
罗氏
是的
TC1-1+
T36-1+
T9-1+
T9-1-KK81+
T1.5-6-KK81+
T1-6-KK81+
T4-1-2W-KK81+
T4-6+
T4-6-KK81+
T2-1-2W+
T2-1-2W-KK81+
T1.5-1+
T1.5-1-KK81+
T4-1-2W+
T2.5-6-KK81+
T1-6+
T1.5-6+
T1-1-KK81+
SYTX2-61HP+
T1-1+
TT4-1A+
TT25-1+
TT25-1-KK81+
TT16-1-KK81+
ADT4-6+
TTCM4-4+
TTCM4-4X+
ADT16-6+
ADT1.5-2+
ADT1-1+
TT4-1A-KK81+
TT2.5-6-KK81+
TT4-1+
TT4-1-KK81+
TT2.5-6+
TT1.5-1+
TT1.5-1-KK81+
TT1-6+
TT1-6-KK81+
ADTT1-1+
ADTT1.5-1+
ADTT1-6+
TX-2-5-1+
ADTT3-2+
为你推荐
-
D2201UK 金金属化多用途硅DMOS射频场效应晶体管2025-10-24 12:34
产品型号:D2201UK 工作电压:12.5V 输出功率:2.5万 最低效率:40 收益:10 测试频率:1吉赫 -
M100FF5 高压二极管2025-03-24 10:38
产品型号:M100FF5 M100FF5: 高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FF3 高压二极管2025-03-24 10:36
产品型号:M100FF3 M100FF3:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M160UFG 高压二极管2025-03-24 10:33
产品型号:M160UFG M160UFG:高压二极管 反向电压:16KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M100UFG 高压二极管2025-03-24 10:31
产品型号:M100UFG M100UFG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M50UFG 高压二极管2025-03-24 10:28
产品型号:M50UFG M50UFG: 高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M25UFG 高压二极管2025-03-24 10:26
产品型号:M25UFG M25UFG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M160FG高压二极管2025-03-24 10:24
产品型号:M160FG M160FG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FG 高压二极管2025-03-24 10:22
产品型号:M100FG M100FG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M50FG高压二极管2025-03-24 10:20
产品型号:M50FG M50FG:高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C