CHA3666 -FAB是一款两级自偏置宽带单片低噪声放大器。
该电路采用标准 pHEMT 工艺制造：0.25μm 栅极长度、穿过基板的通孔、空气桥和电子束栅极光刻。
它采用无引线表面贴装密封金属陶瓷 6x6mm² 封装。整体供电电压为4V/80mA。
该电路专用于空间应用，也非常适合各种微波和毫米波应用和系统。
放大器 – LNA
| 参考 | 射频带宽 (GHz) | 增益 （分贝） | 增益平坦度 (+/-dB) | 噪声系数 （分贝） | P-1dB 输出 (dBm) | 偏置 （毫安） | 偏差 (V) | 案件 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 分钟 | 最大限度 | ||||||||
| CHA3666-FAB | 6 | 16 | 21 | 1 | 1.8 | 17 号 | 80 | 4 | 密封SMD |
CHA3801-FAB
CHA3801-QDG
CHA3801-99F
CHA3024-FDB
CHA3024-QGG
CHA3024-99F
CHA3218-99F
CHA3656-FAB
CHA3666-QAG
CHA3656-QAG
CHA3666-99F
CHA3666-FAB
CHA2063a99F
CHA2110-QDG
CHA2110-98F
CHA1010-99F
CHA2066-QAG
CHA2066-99F
CHA3689-99F
CHA3688aQDG
CHA2266-99F
CHA2069-99F
CHA2069-FAB
CHA2090-99F
CHA2069-QDG
CHA2193-99F
