75-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片
Wolfspeed 的 CGHV60075D5 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度；和更高的导热率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 具有更高的功率密度和更宽的带宽。
特征
- 4 GHz 时典型功率附加效率为 65%
- 6 GHz 时典型功率附加效率为 60%
- 75 W 典型 PSAT
- 50V 运行
- 高击穿电压
- 运行频率高达 6 GHz
应用领域
- 2路私人广播
- 宽带放大器
- 蜂窝基础设施
- 测试仪器
- A级；AB；适用于 OFDM 的线性放大器；W-CDMA；边缘; CDMA波形
