高功率 RF GaN on SiC HEMT 620 W，48 V，2496 – 2690 MHz
GTRB267008FC 是一款 620 瓦 (P4dB) GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设计用于 Doherty 蜂窝功率放大器应用。它在 2496 MHz 至 2690 MHz 工作频段内具有高线性化效率，并采用带无耳法兰的耐热增强型封装。
特征
- 碳化硅基氮化镓 HEMT 技术
- 典型脉冲 CW 性能，2690 MHz，48 V，10 μs 脉冲宽度，10% 占空比，组合输出
- P3dB = 620 W 时的输出功率
- P4dB 时的效率 = 72%
- 高线性化效率
- 人体模型 1C 级（根据 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
- 无铅且符合 RoHS 标准
