用于并联 SiC 电源模块的 1200 V、1.33 mΩ、HM 高性能 62 mm、半桥右 GK
Wolfspeed 开发了 HM 功率模块平台，以在功率密度敏感的应用中发挥碳化硅的优势，同时保持 62mm 模块的基板兼容性。HM 平台的碳化硅优化封装可实现 175°C 的连续结操作，并采用高可靠性氮化硅 (Si 3 N 4 ) 功率基板以确保极端条件下的机械鲁棒性和轻质 AlSiC 基板。HM3 非常适合医疗电源、航空航天和牵引驱动等要求苛刻的应用。
特征
- 高性能 62 毫米占地面积
- 低电感 (4.9 nH) 设计可实现高速开关和高效率并降低损耗
- 高结温 (175 °C) 运行
- 可用于第二代和第三代 SiC MOSFET 的配置
- 轻质 AlSiC 基板
- 氮化硅绝缘体具有强大的热循环能力
好处
- 轻的; 紧凑的外形和 62mm 兼容底板可实现系统改造
- 提高系统效率；由于碳化硅的低开关和传导损耗
- 高可靠性材料选择可实现高温运行
应用领域
- 铁路与牵引
- 太阳能及可再生能源
- 电动汽车充电器
- 工业自动化与测试
- 医疗电源
- 电机驱动
