--- 产品参数 ---
- 温度范围 -20°C至+85°C
- 较宽的供电 1.75V至3.65V
- 封装 TSOC和TDFN
--- 产品详情 ---

DS28E02将1024位EEPROM与符合FIPS 180-3安全散列算法(SHA-1)的质询-响应安全认证功能结合在一起。1024位EEPROM阵列被配置为四页,每页256位,且带有64位暂存器用于执行写操作。所有存储页面都可以设置为写保护模式,并可将其中一页置于EPROM仿真模式,该模式下数据位只能从1变为0。每片DS28E02带有各自唯一的64位ROM注册码,由工厂刻入芯片。DS28E02通过单触点1-Wire®总线进行通信,遵循标准的1-Wire协议,注册码在多器件1-Wire网络中充当节点地址。
应用
- 医用耗材识别
- 打印机色带盒配置与监测
- 授权管理的参考设计
- 传感器/配件识别和校准
- 系统知识产权保护
- 1024位EEPROM存储器,分为4页,每页256位
- 内置512位SHA-1引擎,用于计算160位信息认证码(MAC)并生成密钥
- 写访问需要已知密钥,并且能够计算和发送160位MAC作为认证
- 四个存储器页中的第0页和第3页或全部页面可由用户编程设置为写保护
- 第1页可被置于用户可编程OTP EPROM仿真模式(“写为0”)
- 与主机间的通信通过单根数字线即可实现,遵循1-Wire协议,通信速率为12.5kbps或35.7kbps
- 切换点滞回和滤波优化了信号通信的抗噪声性能
- 在-20°C至+85°C温度范围、1.75V至3.65V较宽的供电电压范围内进行读、写操作
- 采用6引脚TSOC和TDFN封装
DS28E30
DS28E40
DS28E84
DS28E16
DS28E39
DS1964S
DS28E50
DS2477
DS28E83
DS28E36
DS28E38
DS28E80
DS2475
DS24L65
DS28E35
DS28EL22
DS28EL15
DS28E22
DS2465
DS28E15
DS28E25
DS28E02
DS28E10
DS28E01-100
为你推荐
-
D2201UK 金金属化多用途硅DMOS射频场效应晶体管2025-10-24 12:34
产品型号:D2201UK 工作电压:12.5V 输出功率:2.5万 最低效率:40 收益:10 测试频率:1吉赫 -
M100FF5 高压二极管2025-03-24 10:38
产品型号:M100FF5 M100FF5: 高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FF3 高压二极管2025-03-24 10:36
产品型号:M100FF3 M100FF3:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M160UFG 高压二极管2025-03-24 10:33
产品型号:M160UFG M160UFG:高压二极管 反向电压:16KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M100UFG 高压二极管2025-03-24 10:31
产品型号:M100UFG M100UFG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M50UFG 高压二极管2025-03-24 10:28
产品型号:M50UFG M50UFG: 高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M25UFG 高压二极管2025-03-24 10:26
产品型号:M25UFG M25UFG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M160FG高压二极管2025-03-24 10:24
产品型号:M160FG M160FG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FG 高压二极管2025-03-24 10:22
产品型号:M100FG M100FG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M50FG高压二极管2025-03-24 10:20
产品型号:M50FG M50FG:高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C