--- 产品参数 ---
- 低电源电流 60μA
- 宽电源范围 18V
- 保证工作温度范围 –40°C 至 125°C
--- 产品详情 ---

LT®1790 是一个 SOT-23 封装的微功率低压差串联基准系列,其兼具高准确度和低漂移以及低功率耗散和小封装尺寸。这些微功率基准采用曲率补偿以获得低温度系数,并使用经修整的高精度薄膜电阻器来实现高输出准确度。此外,每个 LT1790 都在封装之后实施修整以极大地减小温度系数并提高输出准确度。利用卓越的电压和负载调节性能进一步地保证了输出准确度。采取了特别谨慎的措施以较大限度地降低由热量引起的迟滞。
LT1790 系列器件因其小尺寸、低电源电流和减低的压差电压而非常适合于电池供电式系统。这些基准提供了优于并联基准的电源电流和功率耗散水平,并联基准必须闲置整个负载电流来运作。由于 LT1790 还能够吸收电流,因此其可充当一个具有与正基准相同性能的微功率负电压基准。
应用
手持式仪器
负电压基准
工业控制系统
数据采集系统
电池供电式设备
- 高准确度:
- A 级 ― 0.05% (最大值)
- B 级 ― 0.1% (最大值)
- 低漂移:
- A 级 ― 10ppm/°C (最大值)
- B 级 ― 25ppm/°C (最大值)
低的热迟滞:40ppm (典型值) ― –40°C 至 85°C
低电源电流:60μA (最大值)
可吸收和供应电流
低压差电压
保证工作温度范围:–40°C 至 125°C
宽电源范围至 18V
可提供的输出电压选项:1.25V、2.048V、2.5V、3V、3.3V、4.096V 和 5V
扁平 (仅高 1mm) ThinSOT™ 封装
LT1236ACS8-10
LT1236ACS8-5
LT1236AIN8-10
LT1236AIS8-10
LT1236AIS8-5
LT1236BCN8-10
LT1236BCN8-5
LT1236BCS8-10
LT1236BCS8-5
LT1236BIN8-10
LT1236BIN8-5
LT1236BIS8-10
LT1236BIS8-5
LT1236CCN8-10
LT1236CCN8-5
LT1236CCS8-10
LT1236CCS8-5
LT1236CIN8-10
LT1236CIN8-5
LT1236CIS8-10
LT1236CIS8-5
REF192
为你推荐
-
D2201UK 金金属化多用途硅DMOS射频场效应晶体管2025-10-24 12:34
产品型号:D2201UK 工作电压:12.5V 输出功率:2.5万 最低效率:40 收益:10 测试频率:1吉赫 -
M100FF5 高压二极管2025-03-24 10:38
产品型号:M100FF5 M100FF5: 高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FF3 高压二极管2025-03-24 10:36
产品型号:M100FF3 M100FF3:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M160UFG 高压二极管2025-03-24 10:33
产品型号:M160UFG M160UFG:高压二极管 反向电压:16KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M100UFG 高压二极管2025-03-24 10:31
产品型号:M100UFG M100UFG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M50UFG 高压二极管2025-03-24 10:28
产品型号:M50UFG M50UFG: 高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M25UFG 高压二极管2025-03-24 10:26
产品型号:M25UFG M25UFG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M160FG高压二极管2025-03-24 10:24
产品型号:M160FG M160FG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FG 高压二极管2025-03-24 10:22
产品型号:M100FG M100FG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M50FG高压二极管2025-03-24 10:20
产品型号:M50FG M50FG:高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C