LTC7890是一款高性能、双降压DC/DC开关稳压器控制器，通过高达100 V的输入电压驱动所有N沟道同步氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级。LTC7890解决了许多使用GaN FET时通常会面临的挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)解决方案相比，LTC7890简化了应用设计，无需保护二极管和其他附加外部组件。
内部智能自举开关可防止BOOSTx引脚至SWx引脚高端驱动器电源在死区时间内过度充电，从而保护顶部GaN FET的栅极。LTC7890在内部优化了两个开关边沿的栅极驱动器时序，以实现智能近零死区时间，从而显著提升效率，甚至在高输入电压下也能实现高频运行。或者，用户可以使用外部电阻调整死区时间以进行裕量调整或定制应用。
LTC7890的栅极驱动电压可在4 V至5.5 V范围内精确调节以优化性能，并且可使用不同的GaN FET，甚至是逻辑电平MOSFET。
应用
- 工业电源系统
- 军事航空电子和医疗系统
- 电信电源系统
- GaN驱动技术针对GaN FET进行了全面优化
- 宽 VIN范围：4 V至100 V
- 宽输出电压范围：0.8 V ≤ VOUT ≤ 60 V
- 无需续流、箝位或自举二极管
- 内部智能自举开关可防止高端驱动器电源过度充电
- 进行内部优化，智能近零死区时间或电阻可调死区时间
- 分离输出栅极驱动器，以实现可调导通和关断驱动器强度
- 精确的可调驱动器电压和UVLO
- 低 IQ: 5 μA (48 VIN至 5 VOUT, 通道1开启）
- 可编程频率（100 kHz至3 MHz）
- 可同步频率（100 kHz至3 MHz）
- 展频(SSFM)
- 40引脚(6 mm × 6 mm)侧可湿QFN封装
LTC7890
LTC3888
MAX15157D
LTC3888-1
MAX16610A
LTC7811
LTC7883
LTC7802-3.3
LTC7891
MAX25206
LTC7803
LTC7805
LTC7871
LTC7872
LT8228
LTC7819
LTC7802
MAX16610
LTC7852
LT8550
LTC7817
LTC7818
LTC3889
LTC3372
LTC3894
LTC3883
LTC7810
LTC7815
MAX20034
