Qorvo 的 UF3SC065040B7S 650 V、42 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFET 时需要最少的重新设计。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关电感负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
主要特征
- 导通电阻 (RDS(on))：42 mohm（典型值）
- 最高工作温度：175 °C
- 出色的反向恢复：Qrr = 185 nC
- 低体二极管 VFSD：1.5 V
- 低栅极电荷：QG = 43 nC
- 阈值电压 VG(th)：5 V（典型值）允许 0 至 15 V 驱动
VDS 最大值(V) | 650 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 42 |
内径最大值(A) | 43 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽车资质 | 不 |
包装类型 | D2PAK-7L |
UF3C065030B3
UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
UF3C065040B3
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UF3C065080B3
UF3C065080B7S
UF3C065080K3S
UF3C065080K4S
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UF3C120040K3S
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UF3SC065007K4S
UF3SC065030B7S
UF3SC065040B7S
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UF3SC120016K3S
UF3SC120016K4S
UF3SC120040B7S
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UF4SC120030K4S
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