Qorvo 的 UF3C170400B7S SiC FET 器件基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替代” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关电感负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
主要特征
- 导通电阻 RDS(on)：410 mohm（典型值）
- 工作温度：175 °C（最高）
- 出色的反向恢复：Qrr = 70 nC
- 低体二极管 VFSD：1.5 V
- 低栅极电荷：QG = 23.1 nC
- 低本征电容
- ESD 保护：HBM 2 级和 CDM C3 级
VDS 最大值(V) | 1,700 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 410 |
内径最大值(A) | 7.6 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽车资质 | 是的 |
包装类型 | D2PAK-7L |
UF3C065030B3
UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
UF3C065040B3
UF3C065040K3S
UF3C065040K4S
UF3C065040T3S
UF3C065080B3
UF3C065080B7S
UF3C065080K3S
UF3C065080K4S
UF3C065080T3S
UF3C120040K3S
UF3C120040K4S
UF3C120080B7S
UF3C120080K3S
UF3C120080K4S
UF3C120150B7S
UF3C120150K4S
UF3C120400B7S
UF3C120400K3S
UF3C170400B7S
UF3C170400K3S
UF3SC065007K4S
UF3SC065030B7S
UF3SC065040B7S
UF3SC120009K4S
UF3SC120016K3S
UF3SC120016K4S
UF3SC120040B7S
UF4C120053K3S
UF4C120053K4S
UF4C120070K3S
UF4C120070K4S
UF4SC120023K4S
UF4SC120030K4S
UJ3C065030B3
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