Qorvo 的 UF3C065080K4S 650 V、80 mohm SiC FET 产品将其高性能 F3 SiC 快速 JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装，以生产当今市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该系列使用 4 端子 TO-247 封装展示了非常快速的开关和任何类似额定值设备的最佳反向恢复特性。这些器件非常适合开关电感负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。
主要特征
- 导通电阻 (RDS(on))：80 mohm（典型值）
- 最高工作温度：175 °C
- 优秀的反向恢复
- 低栅极电荷
- 低本征电容
- ESD 保护，HBM 2 级
VDS 最大值(V) | 650 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 80 |
内径最大值(A) | 31 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽车资质 | 是的 |
包装类型 | TO-247-4L |
UJ3C065080K3S
UJ3C065080T3S
UJ3C120040K3S
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K4S
UJ3C120080K3S
UJ3C120150K3S
UJ4C075018K3S
UJ4C075018K4S
UJ4C075023B7S
UJ4C075023K3S
UJ4C075023K4S
UJ4C075033B7S
UJ4C075033K3S
UJ4C075033K4S
UJ4C075044B7S
UJ4C075044K3S
UJ4C075044K4S
UJ4C075060B7S
UJ4C075060K3S
UJ4C075060K4S
UJ4SC075005L8S
UJ4SC075006K4S
UJ4SC075008L8S
UJ4SC075009B7S
UJ4SC075009K4S
UJ4SC075011B7S
UJ4SC075011K4S
UJ4SC075018B7S
UJ4SC075018L8S
