--- 产品参数 ---
- 额定电压(VDD) 2.7 V至5.25 V
- 高吞吐量 1 MSPS
- 信噪比 70 dB(300 kHz输入频率)
- 片上基准电压源 2.5 V
- 封装 TSSOP
--- 产品详情 ---

AD7866是一款双核、12位、高速、低功耗、逐次逼近型ADC,采用单电源工作,电源电压为2.7 V至5.25 V,最高吞吐量可达1 MSPS。该器件内置两个ADC,两者之前均配有一个低噪声、宽带宽采样保持放大器,可处理10 MHz以上的输入频率。
转换过程和数据采集过程均通过标准控制输入进行控制,可与微处理器或DSP轻松连接。输入信号在CS的下降沿进行采样,而转换同时在此处启动。转换时间取决于SCLK频率。该器件无流水线延迟。
AD7866采用先进的设计技术,可在高吞吐量的情况下实现极低的功耗。当电源电压为3 V、吞吐量为1 MSPS时,最大功耗为3.8 mA。当电源电压为5 V、吞吐量为1 MSPS时,最大功耗为4.8 mA。在休眠模式下工作时,还提供灵活的功耗/吞吐量管理功能。
- 双核12位、双通道ADC
- 高吞吐量:1 MSPS
- 额定电压(VDD):2.7 V至5.25 V
- 低功耗:
- 最大11.4 mW(1 MSPS、3 V电源)
- 最大24 mW(1 MSPS、5 V电源) - 宽输入带宽
- 信噪比:70 dB(300 kHz输入频率) - 2.5 V片上基准电压源
- 灵活的功耗/吞吐量管理
- 同时转换/读取
- 无流水线延迟
- 高速串行接口:
SPI®/QSPI™/MICROWIRE™/DSP兼容 - 关断模式:最大1µA
- 20引脚TSSOP封装
AD7380
AD7381
AD7616-P
AD7617
AD7771
AD7605-4
AD7616
AD7761
AD7768-4
AD7770
AD7779
AD7768
ADAR7251
AD7903
AD7902
AD7656A
AD7656A-1
ADAS3023
AD7609
AD7608
AD7606
AD7606-4
AD7606-6
AD7607
AD7357
为你推荐
-
D2201UK 金金属化多用途硅DMOS射频场效应晶体管2025-10-24 12:34
产品型号:D2201UK 工作电压:12.5V 输出功率:2.5万 最低效率:40 收益:10 测试频率:1吉赫 -
M100FF5 高压二极管2025-03-24 10:38
产品型号:M100FF5 M100FF5: 高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FF3 高压二极管2025-03-24 10:36
产品型号:M100FF3 M100FF3:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M160UFG 高压二极管2025-03-24 10:33
产品型号:M160UFG M160UFG:高压二极管 反向电压:16KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M100UFG 高压二极管2025-03-24 10:31
产品型号:M100UFG M100UFG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M50UFG 高压二极管2025-03-24 10:28
产品型号:M50UFG M50UFG: 高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M25UFG 高压二极管2025-03-24 10:26
产品型号:M25UFG M25UFG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M160FG高压二极管2025-03-24 10:24
产品型号:M160FG M160FG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FG 高压二极管2025-03-24 10:22
产品型号:M100FG M100FG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M50FG高压二极管2025-03-24 10:20
产品型号:M50FG M50FG:高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C