--- 产品参数 ---
- LO至RF高隔离 30 dB
- 低转换损耗 8 dB
- 宽IF带宽 DC - 5 GHz
--- 产品详情 ---

HMC-MDB169是一款无源双平衡MMIC混频器,采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术,可用作上变频器或下变频器。 这款紧凑型混频器具有宽IF带宽、低转换损耗、LO至RF和LO至IF的高隔离性能。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。
HMC-MDB169双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器,而且体积要小得多,性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。
应用
- 短程/高容量无线电
- 点对多点设备
- 军用雷达、ECM和EW
- 卫星通信
- 无源双平衡拓扑结构
- LO至RF高隔离: 30 dB
- 低转换损耗: 8 dB
- 宽IF带宽: DC - 5 GHz
- 裸片尺寸: 0.9 x 1.0 x 0.1 mm
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