--- 产品参数 ---
- 转换增益 13 dB
- 镜像抑制 20 dBc
- 噪声系数 2 dB
- 输出饱和功率 10 dBm
- IF端口LO泄漏 -20 dBm
--- 产品详情 ---

HMC8108是一款紧凑型、X频段、砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)同相正交(I/Q)低噪声转换器,采用符合RoHS标准的陶瓷无铅芯片载体封装。HMC8108将范围为9 GHz至10 GHz的射频(RF)输入信号转换为输出端的60 MHz典型单端中频(IF)信号。该器件提供13 dB的小信号转换增益、2 dB的噪声系数和20 dBc的镜像抑制性能。
HMC8108采用低噪声放大器,后接由有源LO缓冲放大器驱动的镜像抑制混频器。该镜像抑制混频器使得低噪声放大器之后无需使用滤波器,并可消除镜像频率下的热噪声。它具有I/Q混频器输出,所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。HMC8108为混合型镜像抑制混频器、下变频器组件的小型替代器件,可以使用表贴制造技术。
应用
- 点到点及点到多点无线电
- 军用雷达
- 卫星通信
- 转换增益:13 dB(典型值)
- 镜像抑制:20 dBc(典型值)
- 噪声系数:2 dB(典型值)
- 针对1 dB压缩的输入功率:-4 dBm(典型值)
- 输入三阶交调截点:6 dBm(典型值)
- 输出饱和功率:10 dBm(典型值)
- IF端口LO泄漏:-20 dBm(典型值)
- RF端口LO泄漏:-37 dBm(典型值)
- 32引脚、5 mm × 5 mm、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装
HMC908A
ADMV1010
ADMV1012
HMC8108
HMC8326
HMC8327
HMC7586
HMC7587
HMC951A
HMC951B
HMC1113
HMC1065
HMC6789B
HMC6147A
HMC977
HMC904
HMC966
HMC967
MAX2044
MAX2042A
MAX19995A
MAX19995
MAX19997A
MAX2051
MAX19985A
MAX19996
MAX2029
HMC570-Die
HMC570LC5
HMC571-Die
HMC571LC5
HMC572-Die
HMC572LC5
为你推荐
-
D2201UK 金金属化多用途硅DMOS射频场效应晶体管2025-10-24 12:34
产品型号:D2201UK 工作电压:12.5V 输出功率:2.5万 最低效率:40 收益:10 测试频率:1吉赫 -
M100FF5 高压二极管2025-03-24 10:38
产品型号:M100FF5 M100FF5: 高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FF3 高压二极管2025-03-24 10:36
产品型号:M100FF3 M100FF3:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M160UFG 高压二极管2025-03-24 10:33
产品型号:M160UFG M160UFG:高压二极管 反向电压:16KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M100UFG 高压二极管2025-03-24 10:31
产品型号:M100UFG M100UFG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M50UFG 高压二极管2025-03-24 10:28
产品型号:M50UFG M50UFG: 高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M25UFG 高压二极管2025-03-24 10:26
产品型号:M25UFG M25UFG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M160FG高压二极管2025-03-24 10:24
产品型号:M160FG M160FG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FG 高压二极管2025-03-24 10:22
产品型号:M100FG M100FG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M50FG高压二极管2025-03-24 10:20
产品型号:M50FG M50FG:高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C