ADMV1017 是一款硅锗 (SiGe)、微波、上变频器和下变频器，针对在 24 GHz 至 29.5 GHz 频率范围内运行的 5G 无线电设计进行了优化。
上变频器提供两种频率转换模式。该器件能够从差分基带 I/Q 输入信号直接转换为射频 (RF)，以及从复杂的中频 (IF) 输入信号进行单边带 (SSB) 上变频。或者，可以禁用差分基带 I/Q 输入路径，并将 3 GHz 至 10.5 GHz 的调制单端复数 IF 信号馈送到 IF 路径。然后，这些信号可以上变频至 24 GHz 至 29.5 GHz，同时将不需要的边带抑制通常优于 25 dBc。串行端口接口 (SPI) 提供正交相位调整，以实现最佳边带抑制。此外，当不需要优化载波馈通时，SPI 接口允许关闭输出包络检测器以降低功耗。
下变频器提供两种频率转换模式。该器件能够对差分基带 I/Q 输出信号进行直接正交解调，并将镜像抑制下变频为单端复数 IF 输出载波频率。差分基带输出可以直流耦合。然而，更典型的是，I/Q 输出与足够低的高通转角频率进行交流耦合，以确保足够的解调精度。I/Q 基带输出共模电压在 0.75 V 和 2.15 V 之间可编程。SPI 接口提供正交相位微调以优化 I/Q 解调性能。或者，可以禁用基带 I/Q 输出，并且 I/Q 信号可以通过片上有源巴伦，以提供 3 GHz 和 10.5 GHz 之间的两个单端复数 IF 输出。当该器件用作镜像抑制下变频器时，不需要的镜像项通常被抑制到低于所需边带的 25 dBc 以上。ADMV1017 提供平方律功率检测器，可监控混频器输入的功率电平。检波器输出通过外部自动增益控制 (AGC) 环路提供射频数字步进衰减器的闭环控制。
ADMV1017 上变频器和下变频器采用紧凑型耐热增强型 9 mm × 8 mm 焊盘网格阵列 (LGA) 封装。ADMV1017 在 -40°C 至 +95°C 外壳温度范围内工作。在数据表中的所有图中，Rx 表示接收器，Tx 表示发送器。
应用
- 5G应用
- 点对点微波无线电
- 雷达和电子战系统
- 仪器仪表和自动测试设备 (ATE)
- RF 输入/输出频率范围：24 GHz 至 29.5 GHz，将 n257、n258 和 n261 频段集成在一个尺寸内
- 1.5 GHz RF 带宽
- 两种升频转换模式
- 从差分基带 I/Q 直接转换或单端复合 IF 到 RF 单边带升频转换
- 两种降频转换模式
- 从 RF 到差分基带 I/Q 直接转换
- 镜像抑制降频转换或单端复合 IF
- LO 双倍频器 (x2) 和四倍频器 (x4) 模式
- 匹配的 50Ω RF 信号和 LO 端口
- 温度补偿
- 符合 3GPP 规范
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