--- 产品参数 ---
- 高输出功率 +12 dBm
- 低输入功率驱动 0 to +6 dBm
- Fo隔离 >20 dBc @ Fout= 16 GHz
- 相位噪声 -134 dBc/Hz
- 单电源 +5V (92 mA)
--- 产品详情 ---

HMC573LC3B是一款x2有源宽带倍频器,使用GaAs PHEMT技术,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+5 dBm信号驱动时,该倍频器提供+12 dBm的典型输出功率,在8至22 GHz的频率下工作。 在16 GHz的频率下,Fo和3Fo隔离分别为>20 dBc和>25 dBc。
HMC573LC3B非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用,与传统方法相比,可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-134 dBc/Hz,有助于保持良好的系统噪声性能。 采用RoHS封装的HMC573LC3B无需线焊,允许使用表面贴装制造技术。
应用
- 时钟生成应用:
SONET OC-192 & SDH STM-64 - 点对点和VSAT无线电
- 测试仪器仪表
- 军事和太空
- 高输出功率:+12 dBm
- 低输入功率驱动:
0 to +6 dBm - Fo隔离:
>20 dBc @ Fout= 16 GHz - 100 KHz SSB相位噪声:
-134 dBc/Hz - 单电源: +5V (92 mA)
- RoHS Compliant 3x3 mm SMT Package
为你推荐
-
D2201UK 金金属化多用途硅DMOS射频场效应晶体管2025-10-24 12:34
产品型号:D2201UK 工作电压:12.5V 输出功率:2.5万 最低效率:40 收益:10 测试频率:1吉赫 -
M100FF5 高压二极管2025-03-24 10:38
产品型号:M100FF5 M100FF5: 高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FF3 高压二极管2025-03-24 10:36
产品型号:M100FF3 M100FF3:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M160UFG 高压二极管2025-03-24 10:33
产品型号:M160UFG M160UFG:高压二极管 反向电压:16KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M100UFG 高压二极管2025-03-24 10:31
产品型号:M100UFG M100UFG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M50UFG 高压二极管2025-03-24 10:28
产品型号:M50UFG M50UFG: 高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M25UFG 高压二极管2025-03-24 10:26
产品型号:M25UFG M25UFG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M160FG高压二极管2025-03-24 10:24
产品型号:M160FG M160FG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FG 高压二极管2025-03-24 10:22
产品型号:M100FG M100FG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M50FG高压二极管2025-03-24 10:20
产品型号:M50FG M50FG:高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C