--- 产品参数 ---
- 增益 22 dB(典型值)
- 宽增益控制范围 15 dB(典型值)
- 输出功率 21 dBm(典型值)
- 饱和输出功率 22 dBm(典型值)
- 直流电源 4 V (250 mA)
--- 产品详情 ---

HMC8120是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)可变增益放大器和/或驱动器放大器,工作频率范围为71 GHz至76 GHz。 HMC8120提供高达22 dB的增益、21 dBm输出P1dB、30 dBm OIP3和22 dBm PSAT,采用4 V电源供电时功耗仅为250 mA。 提供两个增益控制电压(VCTL1和VCTL2)以实现高达15 dB的可变增益控制。 HMC8120提供出色的线性度并针对E频段通信和高容量无线回程无线电系统进行优化。 所有数据均利用50 Ω测试夹具中的芯片获取,通过各端口上宽度为3 mil、厚度为0.05 mil、长度为7 mil的焊线连接。
应用
- E频段通信系统
- 高容量无线回程无线电系统
- 测试与测量
- 增益: 22 dB(典型值)
- 宽增益控制范围: 15 dB(典型值)
- 输出三阶交调截点(OIP3): 30 dBm(典型值)
- 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率: 21 dBm(典型值)
- 饱和输出功率(PSAT): 22 dBm(典型值)
- 直流电源: 4 V (250 mA)
- 无需外部匹配
- 裸片尺寸: 3.599 mm × 1.369 mm × 0.05 mm
ADRF6510
MAX19790
HMC680
HMC900
AD8432
AD8264
ADL5331
LTC6412
LT5554
LTC6602
LTC6603
AD8260
MAX2066
MAX2067
MAX9939
HMC694-Die
HMC694LP4
MAX2065
AD8372
AD8375
AD8376
HMC628
AD8336
MAX2059
为你推荐
-
D2201UK 金金属化多用途硅DMOS射频场效应晶体管2025-10-24 12:34
产品型号:D2201UK 工作电压:12.5V 输出功率:2.5万 最低效率:40 收益:10 测试频率:1吉赫 -
M100FF5 高压二极管2025-03-24 10:38
产品型号:M100FF5 M100FF5: 高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FF3 高压二极管2025-03-24 10:36
产品型号:M100FF3 M100FF3:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M160UFG 高压二极管2025-03-24 10:33
产品型号:M160UFG M160UFG:高压二极管 反向电压:16KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M100UFG 高压二极管2025-03-24 10:31
产品型号:M100UFG M100UFG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M50UFG 高压二极管2025-03-24 10:28
产品型号:M50UFG M50UFG: 高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M25UFG 高压二极管2025-03-24 10:26
产品型号:M25UFG M25UFG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M160FG高压二极管2025-03-24 10:24
产品型号:M160FG M160FG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FG 高压二极管2025-03-24 10:22
产品型号:M100FG M100FG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M50FG高压二极管2025-03-24 10:20
产品型号:M50FG M50FG:高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C