ADRF5519 是一款双通道、集成射频前端多芯片模块，专为工作频率范围为 2.3 GHz 至 2.8 GHz 的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5519 配置为双通道，具有级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。
在高增益模式下，级联的两级 LNA 和开关在 2.6 GHz 时提供 1.0 dB 的低噪声系数 (NF) 和 35 dB 的高增益，输出三阶截点 (OIP3) 为 32 dBm（典型值） ）。在低增益模式下，两级 LNA 的一级处于旁路，在 36 mA 的较低电流下提供 14 dB 的增益。在掉电模式下，LNA 关闭，器件消耗 12 mA。
在发射操作中，RF 输入连接到终端引脚（ANT-CHA 或 ANT-CHB 分别连接到 TERM-CHA 或 TERM-CHB）。该开关提供 0.5 dB 的低插入损耗，并处理 43 dBm 的长期演进 (LTE) 平均功率（9 dB 峰均比 (PAR)），以实现全寿命运行。
该器件采用符合 RoHS 标准的紧凑型 6 mm × 6 mm、40 引脚 LFCSP 封装。
应用
- 无线基础设施
- TDD海量多输入多输出和有源天线系统
- 基于TDD的通信系统
- 集成式双通道 RF 前端
- 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 交换芯片
- 片内偏置和匹配
- 单电源供电
- TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
- LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整个生命周期：43 dBm
- 增益
- 高增益模式：2.6 GHz 时为 35 dB（典型值）
- 低增益模式：2.6 GHz 时为 14 dB（典型值）
- 低噪声指数
- 高增益模式：2.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
- 低增益模式：2.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
- 高隔离
- RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：45 dB（典型值）
- TERM-CHA 和 TERM-CHB：60 dB（典型值）
- 低插入损耗：2.6 GHz 时为 0.5 dB（典型值）
- 高 OIP3：32 dBm（典型值）
- 关断模式和低增益模式
- 低电源电流
- 高增益模式：5 V 时为 110 mA（典型值）
- 低增益模式：5 V 时为 36 mA（典型值）
- 关断模式：5 V 时为 12 mA（典型值）
- 正逻辑控制
- 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装
- 引脚与 ADRF5545A 和 ADRF5549 10 W 版本兼容
