ADRF5515A是一款双通道、集成RF、前端、多芯片模块，设计用于时分双工(TDD)应用。该设备的工作频率为3.3 GHz至4.0 GHz。ADRF5515A采用双通道配置，包含级联两级低噪声放大器(LNA)和高功率硅单刀双掷(SPDT)开关。
在高增益模式下，级联两级LNA和开关提供1.05 dB的低噪声系数和36 dB的高增益（频率为3.6 GHz）以及35 dBm（典型值）的输出3阶交调(OIP3)点。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路状态，在48 mA的较低电流下提供17 dB的增益。在关断模式下，LNA都会关闭且器件功耗为13 mA。
在发射操作中，当RF输入连接到端电极引脚（TERM-CHA或TERM-CHB）时，该开关提供0.5 dB的低插入损耗，并在整个生命周期内处理43 dBm的长期演进(LTE)平均功率（9 dB峰值/平均值比(PAR)）。
该器件采用符合RoHS标准的紧凑型、6 mm × 6 mm、40引脚架构芯片级封装(LFCSP)。
应用
- 无线基础设施
- TDD大规模多路输入和多路输出和有源天线系统
- 基于TDD的通信系统
- 集成式双通道 RF 前端
- 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 交换芯片
- 片内偏置和匹配
- 单电源供电
- TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
- LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整个生命周期：43 dBm
- 增益
- 高增益模式：3.6 GHz 时为 36 dB（典型值）
- 低增益模式：3.6 GHz 时为 17 dB（典型值）
- 低噪声指数
- 高增益模式：3.6 GHz 时为 1.05 dB（典型值）
- 低增益模式：3.6 GHz 时为 1.05 dB（典型值）
- 高隔离
- RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：47 dB（典型值）
- TERM-CHA 和 TERM-CHB：75 dB（典型值）
- 低插入损耗：3.6 GHz 时为 0.5 dB（典型值）
- 高 OIP3：35 dBm（典型值）
- 关断模式和低增益模式
- 低电源电流
- 高增益模式：5 V 时为 95 mA（典型值）
- 低增益模式：5 V 时为 48 mA（典型值）
- 关断模式：5 V 时为 13 mA（典型值）
- 正逻辑控制
- 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装
- 与ADRF5515 和 ADRF5519，以及 10 W 版本，ADRF5545A 和 ADRF5549 的引脚兼容。
