--- 产品参数 ---
- 增益 27 dB(典型值,12 GHz至17 GHz时)
- OP1dB 18 dB(典型值,12 GHz至17 GHz时)
- OIP3 30.5 dBm(典型值,12 GHz至17 GHz时)
- 噪声系数 1.8 dB(典型值,12 GHz至17 GHz时)
- 封装 LFCSP
--- 产品详情 ---

ADL8105是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为5 GHz至20 GHz。
在12 GHz至17 GHz范围内,ADL8105提供27 dB典型增益、1.8 dB典型噪声系数和30.5 dBm典型输出三阶交调截点(OIP3)以及高达20.5 dBm的饱和输出功率(PSAT),采用5 V电源电压时功耗仅为90 mA。可通过牺牲OIP3和输出功率(POUT)来降低功耗。ADL8105还具有内部匹配50 Ω的输入和输出。RFIN和RFOUT引脚均内部交流耦合,同时集成了偏置电感,使其非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用。
ADL8105采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm 8引脚LFCSP封装。
应用
- 电信
- 卫星通信
- 军用雷达
- 气象雷达
- 电子战
- 仪器仪表
- 单正电源(自偏置)
- 增益:27 dB(典型值,12 GHz至17 GHz时)
- OP1dB:18 dB(典型值,12 GHz至17 GHz时)
- OIP3:30.5 dBm(典型值,12 GHz至17 GHz时)
- 噪声系数:1.8 dB(典型值,12 GHz至17 GHz时)
- 符合RoHS标准的2 mm x 2 mm、8引脚LFCSP封装
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