--- 产品参数 ---
- P1dB输出功率 +27 dBm,+28 dBm
- PSAT输出功率 +29 dBm,+30 dBm
- 增益 13 dB,14 dB
- 输出IP3 +36 dBm,+38 dBm
- 电源电压 +10 V (250 mA)
--- 产品详情 ---

HMC994A器件为GaAs、单芯片微波集成电路(MMIC)和PHEMT分布式功率放大器,工作频率范围为DC到28 GHz或DC到30 GHz。 这些功率放大器提供13 dB或14 dB增益、+36 dB或+38 dB输出IP3,以及+27 dBm或+28 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+10 V电源时功耗为250 mA。 这些器件的增益斜率使它们非常适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。 这些器件的输入/输出内部匹配50 Ω,可方便地集成至多芯片模块(MCM)。
该功率放大器采用无铅、QFN、5 × 5 mm表贴封装。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mil)的两条0.025 mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
应用
- 测试仪器仪表
- 微波无线电和VSAT
- 军事和航天
- 电信基础设施
- 光纤产品
- P1dB输出功率: +27 dBm,+28 dBm
- PSAT输出功率: +29 dBm,+30 dBm
- 增益: 13 dB,14 dB
- 输出IP3: +36 dBm,+38 dBm
- 电源电压: +10 V (250 mA)
- 50 Ω匹配输入/输出
- 裸片尺寸: 2.82 × 1.5 × 0.1 mm
- 32引脚、5 × 5 mm、表贴技术(SMT)封装
HMC998ALP5E
HMC998APM5E
HMC637BPM5E
HMC863ALC4
ADPA7001-Die
HMC8415
HMC8205BCHIPS
HMC8205BF
HMC907A-Die
HMC907ALP5E
HMC907APM5E
HMC797A-Die
HMC797ALP5E
HMC797APM5E
HMC906A-DIE
HMC943APM5E
HMC994A-Die
HMC994APM5E
HMC5805A
HMC7885
HMC8500PM5E
HMC1114LP5DE
HMC1114PM5E
为你推荐
-
D2201UK 金金属化多用途硅DMOS射频场效应晶体管2025-10-24 12:34
产品型号:D2201UK 工作电压:12.5V 输出功率:2.5万 最低效率:40 收益:10 测试频率:1吉赫 -
M100FF5 高压二极管2025-03-24 10:38
产品型号:M100FF5 M100FF5: 高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FF3 高压二极管2025-03-24 10:36
产品型号:M100FF3 M100FF3:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M160UFG 高压二极管2025-03-24 10:33
产品型号:M160UFG M160UFG:高压二极管 反向电压:16KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M100UFG 高压二极管2025-03-24 10:31
产品型号:M100UFG M100UFG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M50UFG 高压二极管2025-03-24 10:28
产品型号:M50UFG M50UFG: 高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M25UFG 高压二极管2025-03-24 10:26
产品型号:M25UFG M25UFG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M160FG高压二极管2025-03-24 10:24
产品型号:M160FG M160FG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FG 高压二极管2025-03-24 10:22
产品型号:M100FG M100FG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M50FG高压二极管2025-03-24 10:20
产品型号:M50FG M50FG:高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C