--- 产品参数 ---
- 零件号 DU28120V
- 最小频率(MHz) 2
- 最大频率(MHz) 175
- 偏压(V) 28.0
- 噘嘴(W) 120.00
--- 产品详情 ---
DU28120V
射频功率 MOSFET 晶体管 120W,2-175MHz,28V
数字金属氧化物半导体
射频功率 MOSFET 晶体管 120W,2-175MHz,28V
数字金属氧化物半导体
特征
- N 沟道增强型器件
- 噪声系数低于双极器件
- 高饱和输出功率
- 用于宽带操作的较低电容
- DMOS结构
产品规格
零件号
DU28120V
描述
射频功率 MOSFET 晶体管 120W,2-175MHz,28V
最小频率(MHz)
2个
最大频率(MHz)
175
偏压(V)
28.0
噘嘴(W)
120.00
增益(分贝)
13:00
效率(%)
60
类型
数字金属氧化物半导体
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
陶瓷法兰安装
DU28120V MAAM-010651
UF2805B MAAM-011100
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