--- 产品参数 ---
- 低噪声系数 1.8 dB(典型值)
- 高增益 19.5 dB
- 高P1dB输出功率 16 dBm(典型值)
- 单电源 3.5 V (80 mA)
- 输出IP3 28 dBm
--- 产品详情 ---
HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA),通过可选偏置控制实现自偏置,以降低IDQ。HMC902LP3E采用无引脚3 mm × 3 mm塑料表贴封装。该放大器的工作频率范围为5 GHz至11 GHz,提供19.5 dB的小信号增益,1.8 dB的噪声系数,28 dBm的输出IP3,采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。
16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC902LP3E还具有隔直输入/输出,内部匹配50 Ω,因而非常适合高容量微波无线电和C频段甚小孔径终端(VSAT)应用。
应用
- 点对点无线电
- 点对多点无线电
- 军事和太空
- 测试仪器仪表
- 低噪声系数:1.8 dB(典型值)
- 高增益:19.5 dB
- 高P1dB输出功率:16 dBm(典型值)
- 单电源:3.5 V (80 mA)
- 输出IP3:28 dBm
- 50 Ω匹配输入/输出
- 通过可选偏置控制实现自偏置,以降低静态漏极控制(IDQ)。
- 3 mm × 3 mm、16引脚芯片级(LFCSP)封装:9 mm²
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