--- 产品参数 ---
- 小信号增益 1.6 dB(典型值)20 dB(典型值)
- P1dB输出功率 16 dBm(典型值)
- 电源电压 3.5 V(80 mA,典型值)
- 输出IP3 28 dBm(典型值)
- 裸片尺寸 1.33 mm × 1.04 mm × 0.102 mm
--- 产品详情 ---

HMC902-裸片是一款砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器(LNA),通过可选偏置控制实现自偏置,以降低IDQ。HMC902-裸片的工作频率范围为5 GHz至11 GHz。该LNA提供20 dB的小信号增益、1.6 dB的噪声系数、28 dBm的输出IP3,采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC902-裸片还具有匹配至50 Ω的输入/输出以便轻松集成到多芯片模块(MCM)。这些数据均利用50 Ω测试夹具中的HMC902-裸片获取,通过长度为0.31 mm (12 mil)、直径0.025 mm (1 mil)的两条线焊连接。
应用
- 点对点无线电
- 点对多点无线电
- 军事与航天
- 测试仪器仪表
- 工业科研和医疗(ISM)无线电频段
- 免执照国家信息基础设施(UNII)
- 无线通信服务(WCS)
- 噪声系数:小信号增益:1.6 dB(典型值)20 dB(典型值)
- P1dB输出功率:16 dBm(典型值)
- 电源电压:3.5 V(80 mA,典型值)
- 输出IP3:28 dBm(典型值)
- 50 Ω匹配输入/输出
- 通过可选偏置控制实现自偏置,在不施加射频(RF)的情况下降低静态漏极电流(IDQ)
- 裸片尺寸:1.33 mm × 1.04 mm × 0.102 mm
HMC618A
HMC639
HMC-ALH102-Die
HMC-ALH140-Die
HMC-ALH216-Die
HMC-ALH244-Die
HMC-ALH310-Die
HMC-ALH311-Die
HMC-ALH313-Die
HMC-ALH364-Die
HMC-ALH369-Die
HMC-ALH376-Die
HMC-ALH382-Die
HMC-ALH435-Die
HMC-ALH444-Die
HMC-ALH445-Die
HMC-ALH476-Die

为你推荐
-
D2201UK 金金属化多用途硅DMOS射频场效应晶体管2025-10-24 12:34
产品型号:D2201UK 工作电压:12.5V 输出功率:2.5万 最低效率:40 收益:10 测试频率:1吉赫 -
M100FF5 高压二极管2025-03-24 10:38
产品型号:M100FF5 M100FF5: 高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FF3 高压二极管2025-03-24 10:36
产品型号:M100FF3 M100FF3:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M160UFG 高压二极管2025-03-24 10:33
产品型号:M160UFG M160UFG:高压二极管 反向电压:16KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M100UFG 高压二极管2025-03-24 10:31
产品型号:M100UFG M100UFG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M50UFG 高压二极管2025-03-24 10:28
产品型号:M50UFG M50UFG: 高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M25UFG 高压二极管2025-03-24 10:26
产品型号:M25UFG M25UFG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M160FG高压二极管2025-03-24 10:24
产品型号:M160FG M160FG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FG 高压二极管2025-03-24 10:22
产品型号:M100FG M100FG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M50FG高压二极管2025-03-24 10:20
产品型号:M50FG M50FG:高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C